ISSI矽成是一家知名的半导体公司,其IS43TR16128DL-125KBL芯片IC是一款具有重要应用价值的DRAM芯片。该芯片采用2GBIT PARALLEL 96TWBGA封装技术,具有较高的性能和可靠性。 首先,ISSI矽成IS43TR16128DL-125KBL芯片IC的主要技术参数包括:存储容量为2GB,接口类型为并行接口,工作时序为96T,封装形式为WBGA。这些参数决定了该芯片在各种应用中的性能表现。 其次,该芯片的技术方案应用介绍。该芯片适用于各种需要大容量存储的应用场景,如
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