随着电子技术的不断发展，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FS150R06KE3BOSA1模块IGBT MOD，以其600V的电压等级、150A的电流容量和430W的功率输出，成为了许多电源和电机控制系统的理想选择。 一、参数介绍 FS150R06KE3BOSA1模块IGBT MOD的主要参数如下： * 电压等级：600V； * 电流容量：150A； * 功率输出：430W； * 开关频率：高频切换，以降低热损耗；
Infineon英飞凌2ED300C17STROHSBPSA1模块IGBT MODULE 1700V 30A参数及方案应用详解 随着科技的不断进步，电子设备对功率半导体器件的需求也在日益增长。其中，Infineon英飞凌的2ED300C17STROHSBPSA1模块IGBT MODULE 1700V 30A以其出色的性能和稳定性，在许多领域得到了广泛应用。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数详解 1. 型号与规格：该模块的型号为2ED300C17STROHSBPSA1，额定电压为1
标题：Rohm品牌RGW60TS65EHRC11半导体IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N技术详解与方案介绍 RGW60TS65EHRC11是Rohm品牌的一款高性能半导体IGBT，它具有TRNCH FIELD技术，采用TO247N封装。这款产品具有650V 64A的电流规格，适用于各种电子设备，如逆变器、变频器、电源等。 首先，我们来了解一下IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的特点。它是一种复合型电力电子器件，具有开关速
随着电子技术的快速发展，IGBT模块在各种电力电子设备中的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FS100R17N3E4BOSA1模块是一款高性能的IGBT模块，具有1700V的电压和100A的电流容量，适用于各种大功率电源和电机驱动等应用。 一、参数介绍 FS100R17N3E4BOSA1模块是一款采用TO-247-2封装的高压IGBT模块，具有以下主要参数： * 电压：最高1700V； * 电流：最大100A； * 功率：最大600W； * 频率：最高65KHz； * 工作温度：-40℃
标题：Rohm品牌RGS30TSX2HRC11半导体IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N技术与应用方案介绍 Rohm品牌的RGS30TSX2HRC11半导体IGBT，采用TRENCH FLD工艺，具有高耐压、大电流、低损耗等特性，适用于各种电力电子应用领域。该型号的IGBT芯片采用TO247N封装，尺寸小巧，便于集成和安装。 RGS30TSX2HRC11半导体IGBT的电气参数为：1200V、30A，具有出色的温度稳定性和可靠性。其开关速度非常快，有助于降低系统噪声