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标题:Infineon(IR) IKP04N60TXKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR) IKP04N60TXKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压为600V,最大电流为8A,最大功率为42W。这款IGBT以其高效率、高可靠性、低损耗等特点,广泛应用于各种需要大功率转换的电子设备中,如逆变器、电机驱动、电源转换器等。 二、技术特点 IKP04N60TXKSA1具有以下技术特点: 1. 快速开关特性:由于其快速开关特性,该器件能够在
随着电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌作为全球知名的半导体公司,其FS150R12KT4BOSA1模块IGBT MOD是一款高性能的1200V 150A 750W IGBT模块,具有出色的性能和广泛的应用领域。 一、参数介绍 FS150R12KT4BOSA1模块IGBT MOD的主要参数如下: * 电压:1200V * 电流:150A * 功率:750W * 开关频率:高达35KHz * 工作温度:
标题:Infineon(IR) IGP10N60TXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 Infineon(IR)的IGP10N60TXKSA1功率半导体IGBT是一种重要的电力电子器件,广泛应用于各种需要大功率转换和控制的领域,如电动汽车、风力发电、太阳能发电等。 二、技术特点 IGP10N60TXKSA1是一款高性能的600V 20A TO220-3结构的IGBT。它具有以下特点: 1. 高导热性:该器件具有良好的导热性能,能够有效降低芯片的温度,提高器件的可靠性。 2. 高
标题:Infineon品牌S29JL064J55TFI000芯片:64MBIT并行FLASH 48TSOP的技术与应用介绍 一、技术概述 Infineon品牌的S29JL064J55TFI000芯片是一款高性能的64MBIT并行FLASH 48TSOP。该芯片采用了先进的存储技术,具有高速读写、低功耗、高可靠性和长寿命等优点,广泛应用于各种需要存储数据的电子设备中。 该芯片采用了并行技术,可以实现多个数据的读写操作,大大提高了数据传输的速度。同时,该芯片还采用了先进的存储介质,具有更高的存储密