意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
2024-02-012023 年 9 月 11 日,中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,饱和电压 Vce(sat)很低,确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低,关断电能得到优化,让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。 新IGB